Samsung le gusta ser el primero en sacar nuevos productos, y lo ha hecho de nuevo con un tipo de DRAM. Los módulos llamados HBM2 pueden alimentar a través de datos a una velocidad de 256 Gbps, siete veces más rápido que las mejores GDDR5 en el mercado. La compañía dijo que los chips de 20 nanómetros se dirigen principalmente a los fabricantes de servidores que están dispuestos a gastar en los últimos juguetes. Sin embargo, también permitirán a NVIDIA y AMD acelerar el rendimiento y reducir el consumo de energía de manera significativa en las próximas tarjetas de video.
Samsung está construyendo módulos de 4 GB con cuatro capas de núcleos de 8 gigabits. La compañía dijo que “mediante la especificación de las tarjetas gráficas, los diseñadores podrán disfrutar de un ahorro de espacio de más de 95 por ciento comparado con GDDR5 DRAM.” Eso significa que NVIDIA y AMD pueden crear tarjetas con un tamaño eficiente que corren más frescas y más rápido – y por lo tanto jugar Crysis más cómodas. Los chips de 4GB Samsung que se están construyendo ahora podrían terminar en la próxima generación de tarjetas de consumo, mientras que los modelos de 8 GB son más propensos a terminar en NVIDIA Kepler y AMD FirePro estaciones de trabajo de gama alta.
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